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晶体管
MRF6V2010GNR1参考图片

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MRF6V2010GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
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数量单价合计
1
¥168.3587
168.3587
5
¥160.9798
804.899
10
¥155.2959
1552.959
25
¥135.5435
3388.5875
500
¥116.8759
58437.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
23.9 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
零件号别名
935321298528
单位重量
548 mg
商品其它信息
优势价格,MRF6V2010GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
3,000:¥1.8532
参考库存:7382
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥1.8419
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:63741
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
参考库存:7385
晶体管
MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
3,000:¥7.2885
参考库存:10388
晶体管
MOSFET
1:¥661.4342
2:¥641.5349
5:¥633.704
10:¥621.4096
参考库存:4393
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