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晶体管
TK31N60W,S1VF参考图片

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TK31N60W,S1VF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
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数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥65.088
650.88
25
¥58.6244
1465.61
100
¥48.1041
4810.41
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK31N60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
165 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，TK31N60W,S1VF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTR4503NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V 2.5A N-Channel
1:¥3.4578
10:¥2.4069
100:¥1.10627
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.72207
参考库存:15372
IRF7607TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 22nC Micro 8
1:¥4.6895
10:¥3.9211
100:¥2.3843
1,000:¥1.8532
4,000:¥1.5707
参考库存:6941
MJD112-1G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
参考库存:5678
PMCM440VNEZ
Nexperia
晶体管
MOSFET 12V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.26
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
9,000:¥0.62263
18,000:查看
参考库存:17111
BC560CTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92 PNP GP AMP
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
2,000:¥0.26894
参考库存:26202
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