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晶体管
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2N4919G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 60V 30W PNP
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.842
38.42
100
¥2.486
248.6
1,000
¥1.9775
1977.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N4919
高度
11.04 mm (Max)
长度
7.74 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
2.66 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，2N4919G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NJVMJB45H11T4G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 80V TR
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.7913
800:¥5.3675
参考库存:5002
SMMBT5401LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR SPCL TR
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.88366
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.51528
参考库存:14147
2N5961
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Lvl SW
1:¥4.9946
10:¥4.294
100:¥2.9832
1,000:¥2.2148
参考库存:4967
IPW65R048CFDA
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
1:¥116.1075
10:¥106.7285
25:¥102.2763
100:¥90.1288
参考库存:5570
ULN2003AS16-13
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 500mA HV Darlington Trans Array 50V
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:7446
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