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晶体管
CSD19501KCS参考图片

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CSD19501KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
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库存:3,192(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.5315
4265.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
217 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19501KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
137 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,CSD19501KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:9972
晶体管
MOSFET PMPB20XPEA/SOT1220/SOT1220
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
参考库存:4319
晶体管
MOSFET T6 60V SO8FL
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
1,500:¥4.0341
9,000:查看
参考库存:1707
晶体管
MOSFET PT8 40V LL N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
800:¥6.4184
参考库存:2768
晶体管
MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.232
100:¥5.5483
500:¥4.9155
1,000:¥3.8759
参考库存:2622
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