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晶体管
TK7J90E,S1E参考图片

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TK7J90E,S1E

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
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库存:2,899(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
TK7J90E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,TK7J90E,S1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Hi Vltg NPN Zener SuperMESH
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.6787
2,500:¥10.5316
5,000:查看
参考库存:4272
晶体管
MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:7818
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 69A CanPAK-2 SQ OptiMOS
1:¥7.0738
10:¥6.0568
100:¥4.6443
500:¥4.1132
5,000:¥2.8815
10,000:查看
参考库存:6545
晶体管
MOSFET 8V Vds 5V Vgs SOT-23
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:7552
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥133.5434
10:¥122.7858
25:¥117.7234
100:¥103.6549
参考库存:1699
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