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晶体管
CDM22010-650 SL参考图片

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CDM22010-650 SL

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥13.0628
130.628
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.2208
4610.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
880 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
CDM
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Central Semiconductor
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，CDM22010-650 SL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3634
Microsemi
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1:¥113.2599
10:¥102.9656
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100:¥14.3736
500:¥12.5204
800:¥10.3734
参考库存:46215
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1:¥1,372.3624
5:¥1,339.3212
10:¥1,306.054
25:¥1,287.7593
参考库存:46218
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