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晶体管
NTD4970N-35G参考图片

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NTD4970N-35G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM
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库存:3,412(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11.6 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC
Pd-功率耗散
2.55 W
配置
Single
封装
Tube
系列
NTD4970N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27.6 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NTD4970N-35G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:15892
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:7157
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 0.5A
1:¥3.5369
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:6836
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:31418
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 150mW
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:14714
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