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晶体管
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STGD7NC60HT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥10.0683
1006.83
500
¥8.7575
4378.75
2,500
¥6.7574
16893.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD7NC60HT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STGD7NC60HT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 100V
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.4634
700:¥1.9662
2,100:¥1.6611
参考库存:4617
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥3.2318
10:¥1.5707
100:¥1.08367
500:¥0.88366
3,000:¥0.56048
9,000:查看
参考库存:5112
晶体管
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:2951
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
2,000:¥0.3842
参考库存:4414
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Ampl/Switch
1:¥34.8831
10:¥31.1993
100:¥28.4308
250:¥25.6623
参考库存:2744
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