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晶体管
2DB1713-13参考图片

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2DB1713-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VSAT PNP SMT 2.5K
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数量单价合计
1
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3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 250 mV
最大直流电集电极电流
- 6 A
增益带宽产品fT
180 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB17
直流电流增益 hFE 最大值
270
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 500 mA, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,2DB1713-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 40V, 141A, 3.3mOhm
1:¥14.8256
10:¥13.1419
100:¥10.3734
500:¥7.9891
2,500:¥5.7743
5,000:查看
参考库存:1793
晶体管
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms
1:¥64.1614
10:¥57.9351
25:¥55.2457
100:¥48.025
参考库存:1810
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:1982
晶体管
MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
1:¥46.7933
10:¥42.262
25:¥40.2619
100:¥34.9622
3,000:¥25.5154
参考库存:4728
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥23.8204
10:¥20.2835
100:¥17.5941
250:¥16.6788
1,000:¥12.5995
2,000:查看
参考库存:2277
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