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晶体管
APT50GF120JRDQ3参考图片

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APT50GF120JRDQ3

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi
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库存:27,956(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥508.9068
508.9068
2
¥499.6182
999.2364
5
¥493.923
2469.615
10
¥478.9392
4789.392
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
521 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT50GF120JRDQ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 80V 50W PNP
1:¥6.5314
10:¥5.5709
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
参考库存:5369
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥1.4577
10:¥1.3108
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:67093
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3111
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:12303
晶体管
MOSFET 200V NChannel UniFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1472
500:¥5.4353
1,000:¥4.2827
2,500:¥4.0906
参考库存:5306
晶体管
MOSFET TRNSISTR DUAL MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
8,000:¥0.86106
24,000:查看
参考库存:16071
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