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晶体管
APT50GF120JRDQ3参考图片

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APT50GF120JRDQ3

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi
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库存:27,956(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥508.9068
508.9068
2
¥499.6182
999.2364
5
¥493.923
2469.615
10
¥478.9392
4789.392
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
521 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT50GF120JRDQ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 40A 83W
1:¥24.2046
10:¥20.0575
3,000:¥20.0575
参考库存:3534
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
2,500:¥6.5088
5,000:查看
参考库存:12647
晶体管
MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
1,000:¥5.7856
2,500:¥5.7856
参考库存:4376
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6614
参考库存:3156
晶体管
IGBT 晶体管 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
1:¥24.2046
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
800:¥12.7577
2,400:查看
参考库存:4134
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