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晶体管
CSD18502KCS参考图片

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CSD18502KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40-V, N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs
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库存：1,983(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.1364
16.1364
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
212 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
259 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18502KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
138 S
下降时间
9.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，CSD18502KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPAW60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
1,000:¥6.2489
参考库存:4763
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥34.4198
10:¥29.2783
100:¥25.3572
250:¥24.0464
2,000:¥17.289
4,000:查看
参考库存:6215
FCP125N60E
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:5815
F3L200R12W2H3_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥732.6694
5:¥719.2224
10:¥686.8705
25:¥663.9767
参考库存:4772
SQ9407EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified
1:¥10.5316
10:¥9.2999
100:¥7.345
500:¥5.6952
1,000:¥4.4974
2,500:¥4.068
参考库存:8076
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