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晶体管
IPB35N10S3L26ATMA1参考图片

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IPB35N10S3L26ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
1,000
¥5.198
5198
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
20.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB35N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPB35N10S3L-26 IPB35N1S3L26XT SP000776044
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB35N10S3L26ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3724L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥123.4864
200:¥112.5706
500:¥105.3499
参考库存:40645
JAN2N4033UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥207.6262
250:¥190.5632
500:¥181.3424
参考库存:40648
JANTX2N6676
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,252.0287
参考库存:40651
RMP6N70IP
Rectron
晶体管
MOSFET TO-251 MOSFET
2,400:¥2.5651
3,200:¥2.2035
5,600:¥2.0114
10,400:¥1.8419
25,600:¥1.808
参考库存:40654
JANTX2N4235
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥371.6796
250:¥346.9326
参考库存:40657
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