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晶体管
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IGW75N60H3

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数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.5564
545.564
25
¥52.0252
1300.63
100
¥45.1096
4510.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N6H3XK SP000906804
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IGW75N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DD600S65K3
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
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8,000:¥0.95259
24,000:查看
参考库存:45292
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