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晶体管
IGW75N60H3参考图片

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IGW75N60H3

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:4,705(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.5564
545.564
25
¥52.0252
1300.63
100
¥45.1096
4510.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N6H3XK SP000906804
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IGW75N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 22 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥29.1201
10:¥24.747
100:¥21.4361
250:¥20.3626
500:¥18.2834
参考库存:1967
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
参考库存:1831
晶体管
MOSFET KTT pkg spin from CSD18535KCS
1:¥22.2045
10:¥19.9784
100:¥16.3624
250:¥15.368
500:¥13.9103
参考库存:2421
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.2999
10:¥7.684
100:¥5.8986
500:¥5.0737
1,000:¥4.0002
3,000:¥4.0002
参考库存:5443
晶体管
MOSFET PMV20XNEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:15392
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