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晶体管
IGP10N60TXKSA1参考图片

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IGP10N60TXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
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库存:6,184(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0964
3548.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP10N60T IGP1N6TXK SP000683042
单位重量
2.030 g
商品其它信息
优势价格,IGP10N60TXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshM5
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
3,000:¥12.2153
6,000:查看
参考库存:36996
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥551.4852
参考库存:36999
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥268.7818
250:¥250.8826
参考库存:37002
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
暂无价格
参考库存:37005
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,232.8187
参考库存:37008
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