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晶体管
DMHC4035LSD-13参考图片

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DMHC4035LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
4.5 A, 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms, 65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.1 nC, 12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMHC4035
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.5 ns, 15.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns, 2.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 36.3 ns
典型接通延迟时间
3.1 ns, 3.6 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，DMHC4035LSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM3J129TU(T5L,T)
Toshiba
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:46036
RCX510N25
ROHM Semiconductor
晶体管
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1:¥30.962
10:¥26.2838
100:¥22.826
250:¥21.6734
参考库存:46039
2N7002PSZ
Nexperia
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MOSFET 2N7002PS/SOT363/SC-88
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
参考库存:46042
FSAM15SH60A
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暂无价格
参考库存:46045
SMBT3904E6327XT
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:46048
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