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产品分类

晶体管
NGTB40N120S3WG参考图片

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NGTB40N120S3WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
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库存:3,973(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥40.115
401.15
100
¥34.7362
3473.62
250
¥32.9621
8240.525
500
¥29.5834
14791.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
160 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,NGTB40N120S3WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5766
500:¥5.8195
5,000:¥4.068
10,000:查看
参考库存:3098
晶体管
MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:12336
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.2511
100:¥43.5728
参考库存:3989
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
1:¥45.7989
10:¥41.4145
25:¥39.4935
100:¥34.2729
参考库存:3433
晶体管
MOSFET N-CH 30V 33A PWRFLT DEEPGATE
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
3,000:¥3.4239
9,000:查看
参考库存:4454
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