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产品分类

晶体管
NGTB40N120S3WG参考图片

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NGTB40N120S3WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
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库存:3,973(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥40.115
401.15
100
¥34.7362
3473.62
250
¥32.9621
8240.525
500
¥29.5834
14791.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
160 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,NGTB40N120S3WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,500:¥8.8366
4,500:查看
参考库存:4475
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥74.1506
10:¥66.6926
25:¥60.7827
50:¥56.6356
参考库存:17177
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥215.0729
5:¥206.6205
10:¥198.8574
25:¥182.721
参考库存:17180
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9438
500:¥5.2432
5,000:¥3.6725
10,000:查看
参考库存:7983
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V 4.7KOhm / 4.7KOhm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:17185
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