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晶体管
SIHG22N50D-E3参考图片

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SIHG22N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：4,517(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.8096
33.8096
10
¥30.1258
301.258
100
¥24.747
2474.7
250
¥22.2836
5570.9
500
¥19.9784
9989.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
312 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
D
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SIHG22N50D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG22N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MCH4017-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-FREQUENCY TR
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:10091
IPW90R120C3FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥122.0174
10:¥112.1864
25:¥107.4969
100:¥94.7392
参考库存:1873
IKB10N60TATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:2662
NTMFS4851NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V TR
1:¥6.7574
10:¥5.65
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
1,500:¥2.4634
参考库存:4427
NDT014
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4521
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:5912
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