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晶体管
FCU900N60Z参考图片

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FCU900N60Z

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库存:5,825(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.2207
72.207
100
¥5.5483
554.83
500
¥4.9042
2452.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
675 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
产品
MOSFET
系列
FCU900N60Z
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.6 S
下降时间
11.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.6 ns
典型接通延迟时间
10.9 ns
单位重量
539 mg
商品其它信息
优势价格,FCU900N60Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 17A 650V 190W 1450pF 0.26
暂无价格
参考库存:37431
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥114.4916
200:¥104.3442
500:¥97.6659
1,000:¥89.5977
参考库存:37437
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
暂无价格
参考库存:37440
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥136.165
250:¥124.9441
500:¥118.9438
参考库存:37443
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥152.9116
250:¥140.3121
500:¥133.5434
参考库存:37446
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