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晶体管
SI4410DYTRPBF参考图片

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SI4410DYTRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
1,000
¥3.0284
3028.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
44 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.7 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001563088
单位重量
540 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥1.7063
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3,000:¥1.12209
参考库存:56398
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