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晶体管
BSC030N03MSGATMA1参考图片

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BSC030N03MSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.1811
61.811
100
¥4.7573
475.73
500
¥4.2036
2101.8
5,000
¥2.938
14690
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
48 S
下降时间
9.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
BSC030N03MS BSC3N3MSGXT G SP000311506
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH110N8F7-2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
2,000:¥5.5257
4,000:¥4.9042
10,000:¥4.7234
参考库存:30788
DDTB123EU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:30791
EFC6604R-A-TR
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
5,000:¥2.2374
10,000:¥2.147
25,000:¥2.0679
参考库存:30794
APTGT300A170G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,857.833
参考库存:30797
DMA261050R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:30800
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