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晶体管
IGW50N60H3参考图片

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IGW50N60H3

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库存:3,625(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.115
40.115
10
¥34.1147
341.147
100
¥29.5834
2958.34
250
¥28.0466
7011.65
500
¥25.1312
12565.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N60H3FKSA1 IGW5N6H3XK SP000702548
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW50N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel Silicon JFET-Transistor
1:¥61.698
10:¥50.5562
100:¥41.9569
500:¥38.2618
参考库存:4572
晶体管
MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.7911
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.12209
参考库存:54215
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 100V 1A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:8864
晶体管
MOSFET N-CH 900V HEXFET MOSFET
1:¥19.0518
10:¥15.4471
100:¥13.8312
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:5753
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 NPN GP AMP
1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.1978
4,000:¥1.02152
参考库存:16432
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