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晶体管
SQ3419AEEV-T1_GE3参考图片

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SQ3419AEEV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified
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库存:10,774(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥3.9776
39.776
100
¥3.0171
301.71
500
¥2.486
1243
1,000
¥2.0001
2000.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
6.9 A
Rds On-漏源导通电阻
48 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,SQ3419AEEV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -20 V -2 A
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:3896
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 250mW Single (R1/R2)
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:2688
晶体管
MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
1:¥6.5314
10:¥5.4466
100:¥3.5143
1,000:¥2.8137
3,000:¥2.8137
参考库存:5984
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 80A D2PAK-2
1:¥25.3572
10:¥21.5943
100:¥18.6676
250:¥17.7523
1,000:¥13.447
2,000:查看
参考库存:1037
晶体管
MOSFET 25V 28A 5.8mOhm N-Ch PowerTrench
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
3,000:¥3.5821
9,000:查看
参考库存:3432
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