您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FGP5N60LS参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FGP5N60LS

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:2,777(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.2209
11.2209
10
¥9.605
96.05
100
¥7.3902
739.02
500
¥6.5314
3265.7
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
83 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
FGP5N60LS
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FGP5N60LS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
1:¥1.695
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:29238
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:4623
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.1473
500:¥7.2433
1,000:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:45518
晶体管
达林顿晶体管 Darlington Transistr Array
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9043
参考库存:13751
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:32336
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们