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晶体管
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SGH40N60UFTU

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数量单价合计
1
¥38.8042
38.8042
10
¥33.0412
330.412
100
¥28.589
2858.9
250
¥27.12
6780
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGH40N60UF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，SGH40N60UFTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM9933DCS
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual 20V P channel MOSFET
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.9775
25,000:¥1.9323
参考库存:31094
IFN403
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:31097
AUIRLS3034TRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
800:¥21.0519
2,400:¥20.0575
参考库存:31100
6MS30017E43W38169
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥251,518.0668
参考库存:31103
PTVA120501EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥640.4614
参考库存:31106
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