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晶体管
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SGH40N60UFTU

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数量单价合计
1
¥38.8042
38.8042
10
¥33.0412
330.412
100
¥28.589
2858.9
250
¥27.12
6780
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGH40N60UF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，SGH40N60UFTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFSL7540PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.1417
参考库存:3195
NSVMMUN2132LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.4068
参考库存:13685
TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
1:¥12.9837
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0738
参考库存:5578
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
1:¥12.6786
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9156
参考库存:2422
IRL2203NSTRLPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
800:¥6.9043
参考库存:3141
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