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晶体管
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IRF250P224

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库存:3,510(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥66.2406
66.2406
10
¥59.8561
598.561
25
¥57.0876
1427.19
100
¥49.5618
4956.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
96 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
203 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
112 S
下降时间
58 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP001582438
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF250P224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥37.2674
10:¥29.9676
100:¥27.2782
200:¥24.6679
500:¥22.1254
参考库存:44197
晶体管
MOSFET 30V N Channel Power Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.9154
100:¥2.0001
500:¥1.3786
3,000:¥0.92208
9,000:查看
参考库存:44200
晶体管
MOSFET
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:44203
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
1:¥28.6568
10:¥23.052
100:¥20.9728
250:¥18.9049
参考库存:5658
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.1366
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:5320
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