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晶体管
STP9N65M2参考图片

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STP9N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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库存:2,590(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.2772
3638.6
1,000
¥6.0342
6034.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STP9N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.5 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP9N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥21.9785
10:¥18.2834
100:¥14.1363
500:¥12.4526
800:¥10.2943
参考库存:1730
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥60.4776
10:¥54.6355
25:¥52.093
100:¥45.2565
参考库存:1335
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥30.1258
10:¥24.8939
100:¥20.5208
250:¥19.8993
参考库存:1745
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
1:¥12.9046
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:2227
晶体管
MOSFET 500V 6A N-Channel
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2884
500:¥4.6669
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:3199
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