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DMN2990UFB-7B

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1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.7854
17.854
100
¥0.7458
74.58
1,000
¥0.50737
507.37
10,000
¥0.33787
3378.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
780 mA
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
0.41 nC
Pd-功率耗散
0.92 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，DMN2990UFB-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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