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晶体管
NSVMMBT6429LT1G参考图片

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NSVMMBT6429LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Bipolar Trnsistr
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.3165
23.165
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
700 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT6429L
直流电流增益 hFE 最大值
1250 at 100 uA, 5 VDC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 100 uA, 5 VDC
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，NSVMMBT6429LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1823
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
250:¥623.3306
参考库存:27724
FCP20N60
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
1,000:¥15.2889
参考库存:27727
TSM60NB190CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V, 18A, Single N- N-Chan Power MOSFET
4,000:¥10.5316
5,000:¥10.1474
参考库存:27730
RSD050N06TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RD3L050SNTL1
2,500:¥1.7741
10,000:¥1.7176
25,000:¥1.6498
50,000:¥1.6159
参考库存:27733
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:27736
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