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晶体管
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ARF463AG

  • Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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库存:4,662(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥254.8828
254.8828
5
¥243.4246
1217.123
10
¥235.8197
2358.197
25
¥216.6888
5417.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,ARF463AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:22178
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥410.4047
5:¥401.3308
10:¥382.9683
25:¥366.911
参考库存:1658
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
1:¥2,439.3649
5:¥2,401.8602
10:¥2,366.1296
25:¥2,315.031
参考库存:22183
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥25.6623
10:¥21.2892
100:¥17.515
250:¥16.9839
500:¥15.2098
参考库存:22186
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.7686
25:¥4.0002
100:¥3.616
250:¥3.39
2,000:¥3.39
参考库存:22189
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