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晶体管
SSM3K333R,LF参考图片

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SSM3K333R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
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库存:15,725(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.3165
23.165
100
¥1.09836
109.836
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.69947
2098.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
107 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.4 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2.9 mm
系列
SSM3K333
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3K333R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 150V 12.4 MOHM PQFN56
1:¥29.6625
10:¥25.199
100:¥21.8203
250:¥20.7468
3,000:¥14.9047
6,000:查看
参考库存:9663
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC59 HV XSTR PNP 300V
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:7443
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥860.608
2:¥833.8722
5:¥833.6349
10:¥806.7409
参考库存:1480
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
2,500:¥1.01474
参考库存:2813
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥151.8381
5:¥145.9169
10:¥140.3912
25:¥129.0121
参考库存:1499
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