您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
SIHP24N65E-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

SIHP24N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:4,655(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.1039
44.1039
10
¥36.499
364.99
100
¥30.0467
3004.67
250
¥29.1201
7280.025
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP24N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 40V LOW COSS
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,500:¥17.2099
参考库存:5576
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
参考库存:7143
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 9A 1 50MOHM
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,500:¥2.0001
参考库存:6502
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥309.4392
5:¥302.5236
10:¥288.6924
25:¥276.624
参考库存:4247
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,500:¥3.1866
9,000:查看
参考库存:4314
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们