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晶体管
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US6M1TR

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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.9323
1932.3
3,000
¥1.6498
4949.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC, 2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.77 mm
长度
2 mm
系列
US6M1
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.7 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1 S, 0.7 S
下降时间
8 nS, 10 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
6 nS, 8 nS
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 nS, 25 nS
典型接通延迟时间
6 nS, 9 nS
零件号别名
US6M1
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,US6M1TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥2.9945
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1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
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1:¥3.7629
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:5095
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
2,000:¥0.46104
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1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:20775
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