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晶体管
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US6M1TR

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库存:5,297(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.9323
1932.3
3,000
¥1.6498
4949.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC, 2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.77 mm
长度
2 mm
系列
US6M1
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.7 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1 S, 0.7 S
下降时间
8 nS, 10 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
6 nS, 8 nS
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 nS, 25 nS
典型接通延迟时间
6 nS, 9 nS
零件号别名
US6M1
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,US6M1TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7799
800:¥3.7742
参考库存:13841
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:2263
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5205
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
参考库存:33438
晶体管
MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in I2PAK
1:¥6.9947
10:¥5.9438
100:¥4.5652
500:¥4.0341
参考库存:6268
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:22779
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