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晶体管
NST45011MW6T1G参考图片

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NST45011MW6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL MATCHED NPN XSTR 45V
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NST45011MW6T1G
高度
0.9 mm
长度
2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
150
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，NST45011MW6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RF4E110BNTR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
3,000:¥1.5594
参考库存:7345
NGB8206ANSL3G
Littelfuse
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL
1:¥12.9046
10:¥10.4525
参考库存:5183
FP15R12W1T4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥295.7549
5:¥292.7604
10:¥272.8611
25:¥260.5667
参考库存:4892
STGIPS10K60A
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 IGBT IPM 10A 600 V SDIP25L molded
1:¥83.2132
10:¥76.5349
25:¥73.3031
100:¥64.6247
参考库存:4979
NTK3134NT1H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:12807
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