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晶体管
FP10R06W1E3参考图片

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FP10R06W1E3

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库存:3,293(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥225.9887
225.9887
5
¥223.6835
1118.4175
10
¥208.4624
2084.624
25
¥199.0947
4977.3675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
68 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FP10R06W1E3BOMA1 SP000092044
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FP10R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
2,000:¥17.8314
4,000:查看
参考库存:5946
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥13.447
10:¥11.0627
100:¥8.5315
500:¥7.2998
1,000:¥5.763
2,500:¥5.763
参考库存:8921
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:5094
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥90.3661
10:¥81.6764
25:¥77.8344
100:¥67.6192
参考库存:4501
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
1:¥56.7034
10:¥51.2568
25:¥48.8725
100:¥42.4202
1,000:¥32.1937
2,000:查看
参考库存:5280
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