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晶体管
FP10R06W1E3参考图片

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FP10R06W1E3

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库存:3,293(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥225.9887
225.9887
5
¥223.6835
1118.4175
10
¥208.4624
2084.624
25
¥199.0947
4977.3675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
68 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FP10R06W1E3BOMA1 SP000092044
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FP10R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO PWR PNP PW TRANS
1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
2,500:¥2.6894
10,000:查看
参考库存:12167
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥40.115
10:¥34.1147
100:¥29.5834
250:¥28.0466
1,000:¥21.2101
2,000:查看
参考库存:3565
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
3,000:¥7.6727
参考库存:5542
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:6808
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 100V 2A 225mOhm
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
1,000:¥3.2883
2,500:¥3.2883
参考库存:7079
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