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晶体管
STE88N65M5参考图片

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STE88N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
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库存:2,942(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥273.2453
273.2453
5
¥270.4768
1352.384
10
¥252.0352
2520.352
25
¥240.7352
6018.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
204 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
494 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STE88N65M5
商标
STMicroelectronics
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
100
子类别
MOSFETs
单位重量
28 g
商品其它信息
优势价格,STE88N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
2,000:¥5.5257
4,000:¥4.9042
10,000:¥4.7234
参考库存:30788
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:30791
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
5,000:¥2.2374
10,000:¥2.147
25,000:¥2.0679
参考库存:30794
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,857.833
参考库存:30797
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:30800
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