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晶体管
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2N3716

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP Power
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库存:2,912(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.104
46.104
10
¥45.7198
457.198
25
¥41.6518
1041.295
100
¥37.5725
3757.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N3716
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 3 A, 2 V
Pd-功率耗散
150 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N3716 PBFREE
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,2N3716的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
10,000:¥0.23843
30,000:¥0.22261
50,000:¥0.20792
参考库存:34030
晶体管
MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode
800:¥14.2945
2,400:¥13.5261
4,800:¥13.0628
参考库存:34033
晶体管
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
480:¥19.5942
960:¥17.5941
参考库存:34036
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
2,500:¥3.4917
10,000:¥3.3561
25,000:¥3.2544
参考库存:34039
晶体管
MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V
3,000:¥4.1923
6,000:¥3.9889
9,000:¥3.842
24,000:¥3.7177
参考库存:34042
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