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晶体管
BUF420AW参考图片

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BUF420AW

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Power
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数量单价合计
1
¥75.9925
75.9925
10
¥68.6927
686.927
25
¥65.4722
1636.805
100
¥56.8616
5686.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—基极电压 VCBO
1000 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.8 V
最大直流电集电极电流
30 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUF420AW
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
30 A
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
600
子类别
Transistors
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,BUF420AW的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 150Vcer 500mA 80MHz 35pF
1:¥31.9677
10:¥28.589
100:¥26.0465
250:¥23.5153
参考库存:3682
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥393.9632
5:¥372.674
10:¥368.4478
25:¥340.7854
参考库存:3297
晶体管
MOSFET HIGH POWER NEW
1:¥114.6498
10:¥105.429
25:¥101.0446
100:¥89.0553
2,000:¥65.6191
参考库存:4238
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥14.6787
10:¥12.2153
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8591
2,000:¥6.8591
参考库存:5292
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:45140
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