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晶体管
NTA4151PT1G参考图片

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NTA4151PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -20V -760mA PChannel
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.3052
23.052
100
¥0.99101
99.101
1,000
¥0.76049
760.49
3,000
¥0.5763
1728.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-75-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
760 mA
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
1.8 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
301 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTA4151P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.4 S
下降时间
20.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
2.750 mg
商品其它信息
优势价格，NTA4151PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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