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晶体管
PD57018TR-E参考图片

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PD57018TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:41,561(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥249.0407
249.0407
5
¥246.4304
1232.152
10
¥229.6725
2296.725
25
¥219.3782
5484.455
600
¥178.1106
106866.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
18 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57018-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57018TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 2A 1500V 13OHMS TO263
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
800:¥15.594
2,400:查看
参考库存:31820
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 80V PNP
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:261829
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
800:¥4.8816
参考库存:8567
晶体管
MOSFET N-channel 30 V 1.5 mo FET
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥15.4471
250:¥14.5996
800:¥11.0627
2,400:查看
参考库存:4658
晶体管
MOSFET NFET 25V/8V 75mA 350
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:28421
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