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晶体管
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FGP10N60UNDF

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库存:3,602(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.6784
4339.2
1,000
¥7.2433
7243.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
139 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGP10N60UNDF
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 10 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FGP10N60UNDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
3,000:¥4.1471
9,000:查看
参考库存:7171
晶体管
MOSFET
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
1,000:¥17.2099
2,000:查看
参考库存:8213
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:5767
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 3.2A IPAK-3 CoolMOS C3
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6331
500:¥5.8647
1,000:¥4.6217
参考库存:5179
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 10A
1:¥9.7632
10:¥8.3733
100:¥6.3958
500:¥5.65
2,500:¥3.955
10,000:查看
参考库存:4410
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