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晶体管
CSD23202W10参考图片

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CSD23202W10

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET
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库存:27,807(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.5594
155.94
1,000
¥1.2091
1209.1
3,000
¥1.02943
3088.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.2 A
Rds On-漏源导通电阻
92 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
3.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1 mm
系列
CSD23202W10
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
5.6 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,CSD23202W10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:6101
晶体管
MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9833
1,500:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:2773
晶体管
MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥22.1254
10:¥18.4416
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
2,000:¥10.3734
参考库存:4599
晶体管
MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.2207
10:¥5.7969
100:¥4.3957
500:¥3.6386
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.6329
参考库存:35997
晶体管
MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:33007
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