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晶体管
BSC882N03LS G参考图片

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BSC882N03LS G

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库存:6,144(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.4353
54.353
100
¥4.181
418.1
500
¥3.6838
1841.9
1,000
¥2.9154
2915.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
34 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
BSC882N03
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
9.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BSC882N03LSGATMA1 BSC882N3LSGXT SP000686916
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,BSC882N03LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO PWR PNP PW TRANS
1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
2,500:¥2.6894
10,000:查看
参考库存:12167
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥40.115
10:¥34.1147
100:¥29.5834
250:¥28.0466
1,000:¥21.2101
2,000:查看
参考库存:3565
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
3,000:¥7.6727
参考库存:5542
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:6808
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 100V 2A 225mOhm
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
1,000:¥3.2883
2,500:¥3.2883
参考库存:7079
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