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晶体管
KSC2690AYSTU参考图片

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KSC2690AYSTU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
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库存：7,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.6611
166.11
1,000
¥1.2882
1288.2
2,500
¥1.09158
2728.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
1.2 A
增益带宽产品fT
155 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSC2690A
直流电流增益 hFE 最大值
320
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
1.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP027N08N5AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥29.5043
10:¥25.0521
100:¥21.7412
250:¥20.5886
参考库存:2576
IRFD020PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥13.1419
10:¥10.9158
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:2742
FQP11P06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
参考库存:3897
VN0106N3-G-P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.4579
10:¥5.3788
25:¥4.5087
100:¥4.1132
2,000:¥2.8024
4,000:查看
参考库存:3725
AUIRFB4410
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:3254
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