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产品分类

晶体管
IRLD120PBF参考图片

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IRLD120PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
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库存:8,914(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.2828
62.828
100
¥4.8364
483.64
500
¥3.5821
1791.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
3.37 mm
长度
6.29 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.9 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
64 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
9.8 ns
商品其它信息
优势价格,IRLD120PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
1:¥47.8668
10:¥43.2564
25:¥41.2676
100:¥35.8097
1,000:¥27.12
参考库存:4636
晶体管
JFET N-Channel Switch
1:¥3.0736
10:¥2.1922
100:¥1.00683
1,000:¥0.77631
2,000:¥0.66105
参考库存:10212
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.458
500:¥6.4071
1,000:¥5.0624
3,000:¥4.7234
参考库存:3654
晶体管
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:4454
晶体管
MOSFET Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:11136
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