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晶体管
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ULN2002ANE4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
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库存：6,544(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6049
76.049
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Array 7
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-16
最小工作温度
- 20 C
最大工作温度
+ 70 C
系列
ULN2002A
封装
Tube
高度
4.57 mm
长度
19.3 mm
工作温度范围
- 20 C to + 70 C
宽度
6.35 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格，ULN2002ANE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPI80N04S4-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
参考库存:1777
FS75R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 130A
1:¥1,133.9324
5:¥1,111.6488
10:¥1,059.8496
25:¥1,037.566
参考库存:1555
FP10R12W1T4_B29
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥293.8339
5:¥290.7603
10:¥271.0192
25:¥258.8717
参考库存:27874
APT64GA90B2D30
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥97.3608
10:¥88.5242
25:¥81.8346
50:¥77.4502
参考库存:1561
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:45307
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