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晶体管
FS450R17OE4P参考图片

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FS450R17OE4P

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库存:42,485(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4,865.2037
4865.2037
5
¥4,787.4371
23937.1855
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Six-Pack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
450 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
20 mW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
4
子类别
IGBTs
零件号别名
FS450R17OE4PBOSA1 SP000979172
商品其它信息
优势价格,FS450R17OE4P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥162.2115
5:¥154.9117
10:¥150.064
25:¥137.9278
参考库存:1834
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg FAST SWITCH PNP Pwr TRANSISTOR
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
参考库存:2349
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
5,000:¥6.0116
10,000:查看
参考库存:20111
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor Low Saturation
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.62263
参考库存:7812
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:7169
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