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晶体管

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STGWA15H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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数量单价合计
1
¥51.2568
51.2568
10
¥46.33
463.3
25
¥44.183
1104.575
100
¥38.3409
3834.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA15H120DF2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGWA15H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:4562
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥12.4526
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.0399
参考库存:5513
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:10666
晶体管
MOSFET SM 600V 90MOHM F TO220F
1:¥47.9459
10:¥43.3355
25:¥41.2676
100:¥35.8888
参考库存:4685
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 1A
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
2,000:¥0.9831
参考库存:4879
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