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晶体管
BSB028N06NN3 G参考图片

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BSB028N06NN3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
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库存:13,244(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
5,000
¥7.5032
37516
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDSON-2-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
108 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
BSB028N06NN3GXUMA1 BSB28N6NN3GXT SP000605956
商品其它信息
优势价格,BSB028N06NN3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 80V 2.4 MOHM PQFN56
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.436
3,000:¥13.9894
参考库存:9891
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.2318
参考库存:4021
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥6.9947
10:¥5.8308
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
4,000:¥3.0171
参考库存:5653
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥527.5857
5:¥517.8225
10:¥504.4546
25:¥494.6236
参考库存:2188
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥76.7609
10:¥69.382
25:¥66.1615
100:¥57.404
参考库存:3360
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