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晶体管

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FS100R12KS4

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数量单价合计
1
¥1,711.5319
1711.5319
5
¥1,670.3434
8351.717
10
¥1,628.8498
16288.498
25
¥1,606.0351
40150.8775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
130 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
660 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FS100R12KS4BOSA1 SP000100402
商品其它信息
优势价格,FS100R12KS4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥21.8994
10:¥18.2156
100:¥14.0572
500:¥12.2944
3,000:¥9.5259
6,000:查看
参考库存:6960
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:45707
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Med Pwr
1:¥16.5997
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
参考库存:1729
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥20.905
10:¥17.3681
100:¥13.447
500:¥11.752
1,000:¥9.7632
3,000:¥9.0626
参考库存:7271
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power Transistor
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5879
500:¥5.8195
参考库存:1397
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