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晶体管
DMN95H2D2HCTI参考图片

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DMN95H2D2HCTI

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数量单价合计
1
¥16.6788
16.6788
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9101
4955.05
1,000
¥8.2264
8226.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
950 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
39 ns
单位重量
1.850 g
商品其它信息
优势价格,DMN95H2D2HCTI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5707
100:¥0.66105
1,000:¥0.44522
2,000:¥0.35369
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1:¥153.7591
5:¥146.8435
10:¥142.3122
25:¥130.7071
参考库存:1974
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1:¥4.6895
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5481
参考库存:9851
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.5369
10:¥2.26
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
2,000:¥0.56839
参考库存:12910
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.2261
10:¥1.4916
100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:17213
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